深圳市佳芯恒业科技有限公司

13年

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产品分类

集成电路(IC)(2274)

电源IC(91)

半导体存储器(24)

二极管(167)

三极管(73)

场效应管MOSFET(15)

可控硅IGBT(5)

单片机(3)

电容器(62)

电阻器(128)

电感器(27)

电位器(1)

电源/稳压器(5)

石英晶体器件(21)

连接器/接插件(26)

开关(1)

传感器(5)

保险丝(11)

继电器(12)

印刷线路板(1)

电线电缆(2)

LED(5)

供应NTD80N02T4G 功率晶体三极管
供应NTD80N02T4G 功率晶体三极管
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供应NTD80N02T4G 功率晶体三极管

型号/规格:

NTD80N02T4G

品牌/商标:

ON(安森美)

封装形式:

TO-252

环保类别:

无铅环保型

安装方式:

贴片式

包装方式:

卷带编带包装

产品信息

制造商: ON Semiconductor

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-252-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 24 V

Id-连续漏极电流: 80 A

Rds On-漏源导通电阻: 5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 75 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: Reel

高度: 2.38 mm  

长度: 6.73 mm  

晶体管类型: 1 N-Channel  

类型: MOSFET  

宽度: 6.22 mm  

商标: ON Semiconductor  

正向跨导 - 值: 20 S  

下降时间: 40 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 67 ns  

工厂包装数量: 2500  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 28 ns  

典型接通延迟时间: 17 ns  

单位重量: 4 g