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深圳市佳芯恒业科技有限公司
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产品信息
零件状态: 在售
FET 类型: P 沟道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 70V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 3.8A（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On）: 4.5V，10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（值）: 160 毫欧 @ 2.1A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）: 1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（值）: 18nC @ 10V
Vgs（值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）: 635pF @ 40V
FET 功能: -
功率耗散（值）: 2.11W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: TO-252-3
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63