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深圳市佳芯恒业科技有限公司
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MMBT5551LT1G 分立半导体 晶体管
MMBT5551LT1G
ON
SOT-23-3
NA
MMBT5551LT1G
ON
3000
8 mg
相关产品
产品信息
型号；MMBT5551LT1G
制造商:ON Semiconductor
产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)RoHS: 详细信息
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-23-3
晶体管极性:NPN
配置:Single
集电极—发射极电压 VCEO:160 V
集电极—基极电压 VCBO:140 V
发射极 - 基极电压 VEBO:6 V
集电极—射极饱和电压:0.15 V
直流电集电极电流:0.6 A
工作温度:- 55 C
工作温度:+ 150 C
系列:MMBT5551L
直流电流增益 hFE
值:250
高度:0.94 mm
长度:2.9 mm
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
宽度:1.3 mm
商标:ON Semiconductor
集电极连续电流:0.6 A
直流集电极/Base Gain hfe Min:80 Pd-
功率耗散:225 mW
产品类型:BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量:3000
子类别:Transistors
单位重量:8 mg
Mouser编号：863-MMBT5551LT1G
制造商编号：MMBT5551LT1G
制造商：ON Semiconductor
说明：双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 600mA 160V NPN
数据表: MMBT5551LT1G 数据表
