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深圳市佳芯恒业科技有限公司
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相关产品
产品信息
型号；IRFB4227PBF
制造商:Infineon
产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-ChannelVds-
漏源极击穿电压:200 VId-
连续漏极电流:65 ARds On-
漏源导通电阻:24 mOhmsVgs -
栅极-源极电压:30 VQg-
栅极电荷:70 nC
工作温度:- 40 C
工作温度:+ 175 CPd-
功率耗散:330 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Tube
高度:15.65 mm
长度:10 mm
晶体管类型:1 N-Channel
宽度:4.4 mm
商标:Infineon Technologies
正向跨导 - 值:49 S
下降时间:31 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:20 ns
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:21 ns
典型接通延迟时间:33 ns
零件号别名:SP001565892
单位重量:6 g
Mouser编号：942-IRFB4227PBF
制造商编号：IRFB4227PBF
制造商：Infineon Technologies
说明：MOSFET MOSFT 200V 65A 26mOhm 70nC Qg
数据表: IRFB4227PBF 数据表
