深圳市佳芯恒业科技有限公司

MJD122的主要参数

型号：MJD122

制造商:ON Semiconductor

产品种类:达林顿晶体管

RoHS:N 

配置:Single

晶体管极性:NPN

集电极—发射极电压 VCEO:100 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

集电极—基极电压 VCBO:100 V

直流电集电极电流:8 A

集电极截止电流:10 uAPd-

功率耗散:20 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3 (DPAK)

工作温度:- 65 C

工作温度:+ 150 C

系列:MJD122

封装:Tube

高度:2.38 mm 

长度:6.73 mm

 宽度:6.22 mm 

商标:ON Semiconductor 

集电极连续电流:8 A 

直流集电极/Base Gain hfe Min:100, 1000 

产品类型:Darlington Transistors 

工厂包装数量:75 

子类别:Transistors

Mouser编号：863-MJD122

制造商编号：MJD122

制造商：ON Semiconductor

说明：达林顿晶体管 8A 100V Bipolar

公司简介：

深圳市佳芯恒业科技有限公司是一家面对科研单位和OEM的供应商。公司自成立以来，注重于公司的信誉，产品的质量以及附加值的体现。质量保证，价格合理，交货快捷。真诚地与您建立长久的合作关系。

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