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BD237G的主要参数

型号：BD237G

搜索类似制造商:ON Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

 安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-225-3

晶体管极性:NPN

配置:Single

集电极—发射极电压 VCEO:80 V

集电极—基极电压 VCBO:100 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

集电极—射极饱和电压:0.6 V

直流电集电极电流:2 A

增益带宽产品fT:3 MHz

工作温度:- 55 C

工作温度:+ 150 C

系列:BD237

高度:11.04 mm (Max)

 长度:7.74 mm (Max) 

封装:Bulk 

宽度:2.66 mm (Max)

 商标:ON Semiconductor

 集电极连续电流:2 A 

直流集电极/Base Gain hfe Min:40 Pd-

功率耗散:25 W

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors 

工厂包装数量:500 

子类别:Transistors 

单位重量:680 mg

Mouser编号：863-BD237G

制造商编号：BD237G

制造商：ON Semiconductor