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深圳市佳芯恒业科技有限公司
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产品信息
IKW75N60T主要参数
型号：IKW75N60T
制造商:Infineon
产品种类:IGBT 晶体管
技术:Si
封装 / 箱体:TO-247-3
安装风格:Through Hole
配置:Single
集电极—发射极电压 VCEO:600 V
集电极—射极饱和电压:1.5 V
栅极/发射极电压:+/- 20 V
在25 C的连续集电极电流:80 APd-
功率耗散:428 W
工作温度:- 40 C
工作温度:+ 175 C
系列:TRENCHSTOP IGBT
封装:Tube
高度:21.1 mm
长度:16.03 mm
宽度:5.16 mm
商标:Infineon Technologies
集电极连续电流:80 A
栅极—射极漏泄电流:100 nA
产品类型:IGBT Transistors
工厂包装数量:240
子类别:IGBTs
商标名:TRENCHSTOP
零件号别名:IKW75N60TFKSA1 IKW75N6TXK SP000054889
单位重量:38 g
